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單晶硅壓力變送器工作原理

點擊次數:7629    更新時間:2018-01-02

廣州東儀自動化科技有限公司生產的壓力、液位、流量計等廣泛應用于工業領域,作為當前工業智能變送器領域的革新產品,單晶硅壓力變送器也被稱為復合微硅固態傳感器、智能變送器和高精度智能變送器等等,受到主流工業企業的青睞。

 廣州東儀自動化科技有限公司是研發與生產壓力液位流量計等變送器廠商。下面我們簡單介紹一下單晶硅壓力變送器的工作原理,如圖1所示,單晶硅壓力變送器的敏感元件是將P型雜質擴散到N型硅片上,形成極薄的導電P型層,焊上引線即成“單晶硅應變片”,其電氣性能是做成一個全動態的壓阻效應惠斯登電橋。該壓阻效應惠斯登電橋和彈性元件(即其N型硅基底)結合在一起。介質壓力通過密封硅油傳到硅膜片的正腔側,與作用在負腔側的介質形成壓差,它們共同作用的結果使膜片的一側壓縮,另一側拉伸,壓差使電橋失衡,輸出一個與壓力變化對應的信號。惠斯登電橋的輸出信號經電路處理后,即產生與壓力變化成線性關系的4-20mA標準信號輸出。

 對于表壓傳感器,其負腔側通常通大氣,以大氣壓作為參考壓力;對于絕壓傳感器,其負腔側通常為真空室,以真空作為參考壓力;對于差壓傳感器,其負腔側的導壓介質通常和正腔側相同,如硅油、氟油、植物油等。 

單晶硅傳感器結構圖

 圖1  單晶硅傳感器結構圖

膜片受壓示意圖

2  膜片受壓示意圖

 如圖2所示,在正負腔室的壓差作用下,引起測量硅膜片(即彈性元件)變形彎曲,當壓差P小于測量硅膜片的需用應力比例極限σp時,彎曲可以*復位;當壓差P超過測量硅膜片的需用應力比例極限σp后,將達到材料的屈服階段,甚至達到強化階段,此時撤去壓差后測量硅膜片無法恢復到原位,導致發生不可逆轉的測量偏差;當壓差P達到或超過測量硅膜片能承受的zui高應力σb后,測量硅膜片破裂,直接導致傳感器損壞。因此,通過阻止或削弱外界的過載壓差P直接傳遞到測量硅膜片上,可以有效保護傳感器的測量精度和壽命。

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